BSZ065N06LS5ATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSZ065N06LS5ATMA1 par Infineon et BSC052N08NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSZ065N06LS5ATMA1 | BSC052N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,62 | $0,52 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ 5 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS™ 5 logic-level | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) Max | 65 A | — |
| Drain Current @ Tc (ID, Tc=25°C) | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 6.5 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) Max | 46 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.3 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 13 nC @ VGS=4.5 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1.8 nF | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +150°C | — |
| Boîtier | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) | PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Part Number | — | BSC052N08NS5ATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 95 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.2 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5-3.0 V |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +150C |
| Niveau MSL | — | 1 (unlimited) |