BSZ065N06LS5ATMA1 vs BSC066N06NSATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSZ065N06LS5ATMA1 por Infineon y BSC066N06NSATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSZ065N06LS5ATMA1 BSZ065N06LS5ATMA1 - 60V 65A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

BSZ065N06LS5ATMA1 - 60V 65A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

BSZ065N06LS5ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSZ065N06LS5ATMA1 BSC066N06NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,62 $0,49
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™ 5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 5 logic-level OptiMOS 5 60 V trench-gate
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) Max 65 A —
Drain Current @ Tc (ID, Tc=25°C) 40 A —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 6.5 mΩ —
Power Dissipation (PD) Max 46 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.3 V 1.7 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=4.5 V 26 nC (typ)
Input Capacitance (Ciss) 1.8 nF —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C —
Encapsulado PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TDSON-8-6 (TDSON EP)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 64 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — 45 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 256 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 6.6 mΩ (max)
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 46 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) — 1.3 °C/W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55°C to +150°C
Nivel MSL — 1

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización