BSZ110N08NS5ATMA1 vs IPD70N10S312ATMA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSZ110N08NS5ATMA1 por Infineon y IPD70N10S312ATMA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSZ110N08NS5ATMA1 IPD70N10S312ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,44 $0,69
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 —
Technology OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 40 A —
On-Resistance RDS(on) max 11 mΩ —
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W —
Encapsulado PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
Configuration Single MOSFET —
Gate Drive Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS rating] —
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +175C
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (unlimited floor life)
Part Number — IPD70N10S312ATMA2
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 70 A
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) — 125 W
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V]
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Recuento de pines — 3 (Gate, Drain, Source)
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated — Yes

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