BSZ110N08NS5ATMA1 vs IPD70N10S312ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSZ110N08NS5ATMA1 par Infineon et IPD70N10S312ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSZ110N08NS5ATMA1 IPD70N10S312ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,44 $0,69
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 —
Technology OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 40 A —
On-Resistance RDS(on) max 11 mΩ —
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W —
Boîtier PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
Configuration Single MOSFET —
Gate Drive Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS rating] —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +175C
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (unlimited floor life)
Part Number — IPD70N10S312ATMA2
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 70 A
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) — 125 W
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V]
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source)
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated — Yes

Fiches techniques et ressources

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