BTS3060TFATMA1 vs BTS3035TFATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BTS3060TFATMA1 por Infineon y BTS3035TFATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BTS3060TFATMA1 BTS3035TFATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,65 $0,61
Product Type Smart Low-Side Power Switch Low-Side Power Switch
Manufacturer Family HITFET —
Number of Channels 1 1
On-Resistance (RDS(on) typ) 50 mΩ at 25°C —
Maximum Continuous Load Current 3 A —
Maximum Load Supply Voltage 42 V —
Tipo de transistor N-Channel Vertical Power MOSFET (monolithically integrated) —
Switch Configuration Low-Side, 1:1 —
Input Type Logic-level gate input (3.3V / 5V compatible) CMOS Logic Level
Diagnostic Output Status pin (open-drain, requires pull-up) —
Embedded Protection Overcurrent, Overtemperature, Overvoltage, Open-load detection —
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK), 3 pins (2+Tab) PG-TO252-3-313 (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -40°C to +150°C (junction) -40C to +150C (junction)
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
Packaging Tape & Reel (TF suffix) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Technology — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current — 5 A
On-Resistance (RDS(on)) — 30 mOhm (typical)
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 40 V
Operating Voltage Range — 12 V nominal (load-dump tolerant to 40 V)
Fault Protection — Over-current, Short-circuit, Over-temperature, ESD
Status Feedback — Yes (open-drain diagnostic output)
Reverse Battery Protection — Integrated
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]
Automotive Grade — AEC-Q100 qualified

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