BTS3104SDRATMA1 vs BTS3011TEATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BTS3104SDRATMA1 por Infineon y BTS3011TEATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BTS3104SDRATMA1 BTS3011TEATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,84 $0,51
Product Type Low-side power switch (HITFET family) Smart Low-Side Power Switch
Number of Channels 1 1
Configuración de salida Low-side, N-channel —
Drain-to-Source Voltage (V_DS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (I_D) 2 A —
On-State Resistance (R_DS(on)) Typ [DATA_NEEDED: R_DS(on) value] —
Input Logic Level CMOS-compatible (active-high) —
Supply Voltage (V_IN) [DATA_NEEDED: V_IN range] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Rango de temperatura de funcionamiento -40 C to +150 C —
Encapsulado PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-5 (DPAK-5)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Protection Features Overtemperature, overcurrent, short-circuit, overvoltage, ESD —
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
Estado RoHS Compliant Compliant
Sin halógenos Yes —
Nivel MSL 1 —
On-Resistance R_DS(on) (typ.) — 11 mΩ
Continuous Load Current — 10 A
Operating Voltage Range — 3 V to 28 V
Switch Technology — N-channel vertical power MOSFET
Input Type — Logic-level CMOS compatible
Número de pines — 5 (4 + Tab)
Temperatura de unión de funcionamiento — -40 °C to +150 °C
ESD Protection (HBM) — ±8 kV (output pin)
AEC-Q100 Qualification — Grade 1 qualified
Integrated Protections — Current limit, overtemperature shutdown, overvoltage clamp, ESD, ground-loss protection
Diagnostic Output — Open-drain status feedback pin

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