BTS3104SDRATMA1 vs BTS3011TEATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BTS3104SDRATMA1 par Infineon et BTS3011TEATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BTS3104SDRATMA1 BTS3011TEATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,84 $0,51
Product Type Low-side power switch (HITFET family) Smart Low-Side Power Switch
Number of Channels 1 1
Configuration de sortie Low-side, N-channel —
Drain-to-Source Voltage (V_DS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (I_D) 2 A —
On-State Resistance (R_DS(on)) Typ [DATA_NEEDED: R_DS(on) value] —
Input Logic Level CMOS-compatible (active-high) —
Supply Voltage (V_IN) [DATA_NEEDED: V_IN range] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Plage de température de fonctionnement -40 C to +150 C —
Boîtier PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-5 (DPAK-5)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Protection Features Overtemperature, overcurrent, short-circuit, overvoltage, ESD —
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
Statut RoHS Compliant Compliant
Sans halogène Yes —
Niveau MSL 1 —
On-Resistance R_DS(on) (typ.) — 11 mΩ
Continuous Load Current — 10 A
Operating Voltage Range — 3 V to 28 V
Switch Technology — N-channel vertical power MOSFET
Input Type — Logic-level CMOS compatible
Nombre de broches — 5 (4 + Tab)
Température de jonction en fonctionnement — -40 °C to +150 °C
ESD Protection (HBM) — ±8 kV (output pin)
AEC-Q100 Qualification — Grade 1 qualified
Integrated Protections — Current limit, overtemperature shutdown, overvoltage clamp, ESD, ground-loss protection
Diagnostic Output — Open-drain status feedback pin

Fiches techniques et ressources

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