DG412 vs DG413 Comparación

Comparación detallada lado a lado de DG412 por Analog Devices y DG413 por Analog Devices. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro DG412 DG413
Marca Analog Devices Analog Devices
Categoría Audio Codecs Logic ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,85 $3,34
Función Quad SPST Analog Switch (4 x NO) —
Switch Configuration 4 independent 1:1 SPST Quad SPST (2 NC + 2 NO)
On-Resistance (rDS on) 45 ohm max (ADI/Maxim); 35 ohm (Vishay/Renesas grade) 35 ohm max
On-Resistance Matching 3 ohm max (redesigned Maxim version) —
On-Resistance Flatness 4 ohm max over signal range —
Turn-On Time (tON) 110 ns (typ., family datasheet) 150 ns max
Analog Signal Range +/-15 V 15 V (within rails), up to 40 Vp-p with 44 V process
Maximum Supply Rating 44 V —
Logic Inputs TTL and CMOS compatible —
Power Dissipation 0.35 mW (ultra low, quiescent) 0.35 mW (ultra low, typ per family data)
Supply Type Dual supply supported; single supply capable —
Encapsulado SOIC-16 (16-SOIC) SOIC-16 (DY suffix)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Drop-in Compatibility Replaces DG211/DG212 series —
Turn-Off Time (tOFF) — 100 ns max
Maximum Supply Voltage — 44 V
Single Supply Range — +10 V to +30 V
Dual Supply Range — ±4.5 V to ±20 V
Digital Input Compatibility — TTL and CMOS
Technology — High-voltage silicon-gate CMOS, epi layer latch-up immune
Charge Injection — Reduced vs DG211/DG212 (value [DATA_NEEDED: charge injection value])
Number of Channels — 4

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