DG412 vs DG413 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de DG412 par Analog Devices et DG413 par Analog Devices. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre DG412 DG413
Marque Analog Devices Analog Devices
Catégorie Audio Codecs Logic ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,85 $3,34
Fonction Quad SPST Analog Switch (4 x NO) —
Switch Configuration 4 independent 1:1 SPST Quad SPST (2 NC + 2 NO)
On-Resistance (rDS on) 45 ohm max (ADI/Maxim); 35 ohm (Vishay/Renesas grade) 35 ohm max
On-Resistance Matching 3 ohm max (redesigned Maxim version) —
On-Resistance Flatness 4 ohm max over signal range —
Turn-On Time (tON) 110 ns (typ., family datasheet) 150 ns max
Analog Signal Range +/-15 V 15 V (within rails), up to 40 Vp-p with 44 V process
Maximum Supply Rating 44 V —
Logic Inputs TTL and CMOS compatible —
Power Dissipation 0.35 mW (ultra low, quiescent) 0.35 mW (ultra low, typ per family data)
Supply Type Dual supply supported; single supply capable —
Boîtier SOIC-16 (16-SOIC) SOIC-16 (DY suffix)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Drop-in Compatibility Replaces DG211/DG212 series —
Turn-Off Time (tOFF) — 100 ns max
Maximum Supply Voltage — 44 V
Single Supply Range — +10 V to +30 V
Dual Supply Range — ±4.5 V to ±20 V
Digital Input Compatibility — TTL and CMOS
Technology — High-voltage silicon-gate CMOS, epi layer latch-up immune
Charge Injection — Reduced vs DG211/DG212 (value [DATA_NEEDED: charge injection value])
Number of Channels — 4

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