EP1S10F484C7N vs EP1S10F484C6N Comparación

Comparación detallada lado a lado de EP1S10F484C7N por Intel y EP1S10F484C6N por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro EP1S10F484C7N EP1S10F484C6N
Marca Intel Intel
Categoría FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Estado del ciclo de vida NRND Obsolete
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $162,00 $226,31
Family Stratix (EP1S) Stratix
Manufacturer Intel (formerly Altera) —
Process Technology 130 nm CMOS 130 nm CMOS
Core Voltage 1.5 V —
Logic Elements 10,570 —
Logic Array Blocks (LABs) 1,057 —
Embedded Memory (Total) 920,448 bits —
Embedded Memory Blocks TriMatrix (M512/M4K/M-RAM) —
Embedded DSP Blocks 48 —
Maximum User I/O 335 —
PLLs 12 —
Encapsulado 484-ball FineLine BGA (FBGA-484), 23 x 23 mm, 1 mm pitch 484-FBGA (23 × 23 mm, 1.0 mm pitch)
Speed Grade C7 (-7) C6
Operating Temperature (Commercial) 0 C to +85 C —
Configuration Methods JTAG, Passive Serial, Passive Parallel —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Logic Elements / Cells — 10,570
Number of LABs / CLBs — 1,057
Total RAM Bits — 920,448
Number of User I/O — 335
Supply Voltage - Operating — 1.425 V to 1.575 V (core 1.5 V)
Temperatura de funcionamiento — 0 °C to 85 °C (TJ)
Tipo de montaje — Surface Mount (SMT)
Lead Free — Yes
Configuration Method — SRAM - volatile (JTAG / passive serial / passive parallel / fast passive parallel)
I/O Standards Supported — LVTTL, LVCMOS, PCI, SSTL, HSTL, LVDS
On-chip Resources — TriMatrix memory (M512, M4K, M-RAM), DSP blocks, PLLs

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