EP2S90F1020I4 vs EP2S130F1020I4 Comparación

Comparación detallada lado a lado de EP2S90F1020I4 por Intel y EP2S130F1020I4 por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro EP2S90F1020I4 EP2S130F1020I4
Marca Intel Intel
Categoría FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Estado del ciclo de vida NRND Obsolete
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2.200,00 $1.395,00
Family Stratix II Stratix II
Logic Elements (LE) 90,960 —
Equivalent LEs (with ALM) up to 180,000 —
Embedded Memory (bits) 4,520,488 6,747,840
Total RAM Blocks 758 (M512/M4K/M-RAM) —
DSP Blocks (18x18 multipliers) 12 —
Maximum User I/O 758 —
Transceivers Up to 12 (6.375 Gbps) —
Process Technology 90 nm all-layer copper SRAM, 1.2 V core —
Encapsulado 1020-ball FBGA (33x33 mm) 1020-ball FC-FBGA (33x33 mm)
Temperatura de funcionamiento -40C to +100C (industrial, I4 grade) —
Supply Voltage (VCCINT) 1.2 V —
Supply Voltage (VCCIO) 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (bank-dependent) —
Tipo de montaje Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount (FC-FBGA)
Nivel MSL 3 —
Lead-Free / RoHS Compliant —
Logic Elements — 132,540
Equivalent LEs — ~180,000
Adaptive Logic Modules (ALMs) — 53,016
Embedded Memory (M512 blocks) — 530
Embedded Memory (M4K blocks) — 768
Embedded Memory (M-RAM blocks) — 4
Embedded 18x18 Multipliers — 504
DSP Blocks — 48
User I/O Pins — 742
User I/O Banks — 12
Process Node — 90 nm CMOS, all-layer copper
Core Voltage (VCCINT) — 1.2 V
Speed Grade — I (industrial performance)
Device Revision — 4
Temperatura de unión de funcionamiento — -40C to +100C (industrial)
Configuration Scheme — Fast Passive Parallel x8, Passive Serial, JTAG
Estado RoHS — Compliant (per distributor listings)

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