EP2S90F1020I4 vs EP2S130F1020I4 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EP2S90F1020I4 par Intel et EP2S130F1020I4 par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EP2S90F1020I4 EP2S130F1020I4
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie NRND Obsolete
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2 200,00 $1 395,00
Family Stratix II Stratix II
Logic Elements (LE) 90,960 —
Equivalent LEs (with ALM) up to 180,000 —
Embedded Memory (bits) 4,520,488 6,747,840
Total RAM Blocks 758 (M512/M4K/M-RAM) —
DSP Blocks (18x18 multipliers) 12 —
Maximum User I/O 758 —
Transceivers Up to 12 (6.375 Gbps) —
Process Technology 90 nm all-layer copper SRAM, 1.2 V core —
Boîtier 1020-ball FBGA (33x33 mm) 1020-ball FC-FBGA (33x33 mm)
Température de fonctionnement -40C to +100C (industrial, I4 grade) —
Supply Voltage (VCCINT) 1.2 V —
Supply Voltage (VCCIO) 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (bank-dependent) —
Type de montage Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount (FC-FBGA)
Niveau MSL 3 —
Lead-Free / RoHS Compliant —
Logic Elements — 132,540
Equivalent LEs — ~180,000
Adaptive Logic Modules (ALMs) — 53,016
Embedded Memory (M512 blocks) — 530
Embedded Memory (M4K blocks) — 768
Embedded Memory (M-RAM blocks) — 4
Embedded 18x18 Multipliers — 504
DSP Blocks — 48
User I/O Pins — 742
User I/O Banks — 12
Process Node — 90 nm CMOS, all-layer copper
Core Voltage (VCCINT) — 1.2 V
Speed Grade — I (industrial performance)
Device Revision — 4
Température de jonction en fonctionnement — -40C to +100C (industrial)
Configuration Scheme — Fast Passive Parallel x8, Passive Serial, JTAG
Statut RoHS — Compliant (per distributor listings)

Fiches techniques et ressources

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