EP3C10F256C8N vs EP3C10F256C6 Comparación

Comparación detallada lado a lado de EP3C10F256C8N por Altera y EP3C10F256C6 por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro EP3C10F256C8N EP3C10F256C6
Marca Altera Intel
Categoría FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $15,40 $36,75
Series Cyclone III —
Logic Elements 10,320 —
Logic Array Blocks (LABs) 645 —
Embedded Memory (Bits) 423,936 —
User I/Os 182 —
Operating Frequency (max) 402 MHz —
Core Supply Voltage (VCCINT) 1.15 V to 1.25 V (1.2 V nominal) —
Process Technology 60 nm low-power CMOS 60 nm low-power CMOS
Embedded 18x18 Multipliers 23 23
PLLs 4 2
Encapsulado 256-pin FineLine BGA (FBGA-256, 17 x 17 x 1.8 mm) 256-FBGA (FineLine BGA, 17x17 mm, 1.0 mm pitch)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (BGA)
Temperatura de funcionamiento 0 C to 85 C (Commercial, 'C' grade) -40 C to +125 C (industrial, suffix 'C')
Estado RoHS Compliant Compliant (lead-free FBGA)
Lead-Free Yes —
Nivel MSL MSL3 (per JEDEC J-STD-020, typical for FineLine BGA) 3 (168 hours)
Configuration Method SRAM-based, supports Active Serial (AS), Passive Serial (PS), JTAG —
Equivalent Gate Count ~0.5 M Gates (approximate) —
Family — Cyclone III
Logic Elements (LE) — 10,320
Total Memory Bits — 423,936 bits
Maximum User I/Os — 182
Core Voltage (VCCINT) — 1.15 V to 1.25 V (typ. 1.2 V)
I/O Voltage (VCCIO) — 1.2 V to 3.3 V (bank-dependent)
Configuration Memory — SRAM-based (external EPCS flash required)
Speed Grade — 6

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