EP3C10F256C8N vs EP3C10F256C6 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EP3C10F256C8N par Altera et EP3C10F256C6 par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EP3C10F256C8N EP3C10F256C6
Marque Altera Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $15,40 $36,75
Series Cyclone III —
Logic Elements 10,320 —
Logic Array Blocks (LABs) 645 —
Embedded Memory (Bits) 423,936 —
User I/Os 182 —
Operating Frequency (max) 402 MHz —
Core Supply Voltage (VCCINT) 1.15 V to 1.25 V (1.2 V nominal) —
Process Technology 60 nm low-power CMOS 60 nm low-power CMOS
Embedded 18x18 Multipliers 23 23
PLLs 4 2
Boîtier 256-pin FineLine BGA (FBGA-256, 17 x 17 x 1.8 mm) 256-FBGA (FineLine BGA, 17x17 mm, 1.0 mm pitch)
Type de montage Surface Mount Surface Mount (BGA)
Température de fonctionnement 0 C to 85 C (Commercial, 'C' grade) -40 C to +125 C (industrial, suffix 'C')
Statut RoHS Compliant Compliant (lead-free FBGA)
Lead-Free Yes —
Niveau MSL MSL3 (per JEDEC J-STD-020, typical for FineLine BGA) 3 (168 hours)
Configuration Method SRAM-based, supports Active Serial (AS), Passive Serial (PS), JTAG —
Equivalent Gate Count ~0.5 M Gates (approximate) —
Family — Cyclone III
Logic Elements (LE) — 10,320
Total Memory Bits — 423,936 bits
Maximum User I/Os — 182
Core Voltage (VCCINT) — 1.15 V to 1.25 V (typ. 1.2 V)
I/O Voltage (VCCIO) — 1.2 V to 3.3 V (bank-dependent)
Configuration Memory — SRAM-based (external EPCS flash required)
Speed Grade — 6

Fiches techniques et ressources

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