EP3SE260F1517C3N vs EP3SE260F1517C3 Comparación

Comparación detallada lado a lado de EP3SE260F1517C3N por Intel y EP3SE260F1517C3 por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Intel
EP3SE260F1517C3N EP3SE260F1517C3N - 260K LE Stratix III E FPGA | Intel

EP3SE260F1517C3N - 260K LE Stratix III E FPGA | Intel

EP3SE260F1517C3N ⚠ Última compra

Comparación de especificaciones

Parámetro EP3SE260F1517C3N EP3SE260F1517C3
Marca Intel Intel
Categoría FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Estado del ciclo de vida Última compra Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $9.850,00 $10.800,00
Family Stratix III E —
Logic Elements 254,400 255,000
Embedded Memory 16,672,768 bits (16.7 Mbits) 16,672,768 bits (16.67 Mbit)
User I/Os 976 976
DSP Blocks (18x18 Multipliers) 816 —
M9K Memory Blocks 1,040 —
Maximum Transceiver Data Rate 600 Mbps —
PLLs 4 12
Global Clock Networks 16 —
Encapsulado 1517-BBGA (FCBGA) 1517-BBGA, FCBGA (FineLine BGA)
Process Technology 65 nm TSMC low-power CMOS —
Speed Grade C3 (commercial) 3
Temperatura de unión de funcionamiento 0 C to +85 C (commercial) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (BGA)
Estado RoHS Compliant Compliant
External Memory Interfaces DDR3, DDR2, QDRII+, RLDRAM2 —
Manufacturer — Intel (formerly Altera)
Series — Stratix III E
Logic Array Blocks (LABs) — 10,200
DSP Blocks (18x18 multipliers) — 768
Core Voltage — 0.9 V
Process Node — 65 nm (TSMC)
Package Pitch — 1.0 mm
Operating Temperature Grade — Commercial (C suffix)
Configuration — SRAM-based, requires external configuration device

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