EP3SE50F780I3 vs EP3SE50F780C4LN Comparación

Comparación detallada lado a lado de EP3SE50F780I3 por Intel y EP3SE50F780C4LN por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro EP3SE50F780I3 EP3SE50F780C4LN
Marca Intel Intel
Categoría FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Estado del ciclo de vida Última compra Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1.245,75 $650,00
Family Stratix III Enhanced (E) Stratix III E
Logic Elements 47,500 47,500
Logic Array Blocks (LABs) 1,900 —
Embedded Memory (bits) 5,760,000 —
User I/O Count 488 —
Internal Frequency (max) 800 MHz —
Rango de temperatura de funcionamiento -40 C to +100 C (industrial, 'I' grade) —
Supply Voltage (Core) 0.86 V to 1.13 V (typical 1.1 V) —
Process Technology 65 nm —
Encapsulado 780-ball FC-FBGA (FineLine BGA) 780-ball FC-FBGA
Configuration Mode Passive Serial / Fast Passive Parallel / JTAG —
PLLs Up to 8 (fractional-N) —
DSP Multiplier Blocks Yes (per-ALM DSP blocks) —
Adaptive Logic Modules (ALMs) Yes —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 3 (168 hours) —
Lead-Free Yes —
LABs (Logic Array Blocks) — 1,900
Embedded Memory — 5,760,000 bits
User I/Os — 488
Process Node — 65 nm
Core Voltage — 0.9 V
Speed Grade — C4
Temperatura de funcionamiento — 0°C to 85°C (Commercial)
Tipo de montaje — Surface Mount (BGA)
Lead-Free / RoHS — Yes (L suffix)
Maximum Toggle Frequency — 375 MHz
Configuration Modes — Passive Serial, Fast Passive, Active Serial (AS), Active Parallel (AP), JTAG
DSP Blocks — Yes (embedded multipliers)
Block RAM Type — M9K + M144K
Memory Architecture — SRAM-based, reprogrammable

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