EP3SE80F1152C3N vs EP3SE110F1152C3N Comparación

Comparación detallada lado a lado de EP3SE80F1152C3N por Intel y EP3SE110F1152C3N por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro EP3SE80F1152C3N EP3SE110F1152C3N
Marca Intel Intel
Categoría FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Estado del ciclo de vida NRND Última compra
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1.690,00 $1.560,00
Series Stratix III E Stratix III
Logic Elements (LEs) 80,000 —
Total Memory Bits 6,843,392 bits —
Number of LABs/CLBs 3200 —
Number of User I/O 744 —
Número de salidas 744 —
Encapsulado / Carcasa 1152-BBGA, FCBGA (FineLine BGA) —
Temperatura de funcionamiento 0C to +85C (commercial, C3 grade) 0 °C to 85 °C (commercial)
Speed/Power Grade C3 —
Process Technology 40 nm CMOS 65 nm TSMC
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Lead Free Yes —
Nivel MSL 3 (per JEDEC J-STD-020) —
Configuration Memory SRAM-based, volatile (needs external config device) —
Estado RoHS Compliant —
Family — Stratix III E
Logic Elements (LE) — 107,500
Logic Array Blocks (LABs) — 4,300
Total RAM Bits — 8,936,448
User I/Os — 744
Operating Frequency (max) — 500 MHz
Core Supply Voltage — 1.1 V nominal
I/O Supply Voltage — [DATA_NEEDED: I/O supply range]
Package Type — FC-FBGA-1152 (flip-chip BGA)
Speed Grade — C3
Estilo de montaje — SMD/SMT (Tray)
DSP Blocks — Yes (embedded multipliers)
Tipo de memoria — M9K and M144K block RAM
External Memory Support — DDR/DDR2/DDR3 with read/write leveling
Boundary Scan — IEEE 1149.1 (JTAG)
RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free — Yes (per Altera/Intel datasheet family convention)

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