EP4CE115F23C8N vs EP4CE40U19A7N Comparación

Comparación detallada lado a lado de EP4CE115F23C8N por Intel y EP4CE40U19A7N por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro EP4CE115F23C8N EP4CE40U19A7N
Marca Intel Intel
Categoría FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $145,00 $112,20
Series Cyclone IV E Cyclone IV E
Logic Elements 114,480 LE —
Embedded Memory 3,981,312 bits (3.8 Mbit) —
User I/O Count 280 —
Number of Logic Array Blocks (LABs) [DATA_NEEDED: LAB count] —
Embedded 18x18 Multipliers 432 —
General-purpose PLLs 4 —
Process Node 60 nm —
Core Voltage 1.2 V —
Encapsulado 484-ball FineLine BGA (F23) 484-ball FBGA (U19)
Ball Pitch 1.0 mm —
Tipo de montaje Surface Mount (BGA) —
Temperatura de funcionamiento 0C to +85C (Commercial) —
Speed Grade C8 —
Estado RoHS Compliant Compliant
Family — EP4CE40
Logic Elements (LE) — 39,600
Embedded Memory (bits) — 1,161,216 (113 Kbytes)
Embedded Multipliers (18x18) — 116
M9K Memory Blocks — 66
Maximum User I/O — 328
PLLs — 4
Global Clock Networks — 20
Grade — Automotive (A7 = -40C to 125C TJ)
Process Technology — 60 nm low-power CMOS
Temperatura de unión de funcionamiento — -40C to +125C
Storage Temperature — -65C to +150C
Configuration Modes — JTAG, Active Serial (AS), Passive Serial (PS), Fast Passive Parallel (FPP)
External Memory Support — DDR/DDR2 SDRAM, QDRII SRAM
I/O Standards — LVDS, SSTL, HSTL, PCI, LVTTL, LVCMOS

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