EP4CE115F23C8N vs EP4CE40U19A7N Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EP4CE115F23C8N par Intel et EP4CE40U19A7N par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EP4CE115F23C8N EP4CE40U19A7N
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $145,00 $112,20
Series Cyclone IV E Cyclone IV E
Logic Elements 114,480 LE —
Embedded Memory 3,981,312 bits (3.8 Mbit) —
User I/O Count 280 —
Number of Logic Array Blocks (LABs) [DATA_NEEDED: LAB count] —
Embedded 18x18 Multipliers 432 —
General-purpose PLLs 4 —
Process Node 60 nm —
Core Voltage 1.2 V —
Boîtier 484-ball FineLine BGA (F23) 484-ball FBGA (U19)
Ball Pitch 1.0 mm —
Type de montage Surface Mount (BGA) —
Température de fonctionnement 0C to +85C (Commercial) —
Speed Grade C8 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Family — EP4CE40
Logic Elements (LE) — 39,600
Embedded Memory (bits) — 1,161,216 (113 Kbytes)
Embedded Multipliers (18x18) — 116
M9K Memory Blocks — 66
Maximum User I/O — 328
PLLs — 4
Global Clock Networks — 20
Grade — Automotive (A7 = -40C to 125C TJ)
Process Technology — 60 nm low-power CMOS
Température de jonction en fonctionnement — -40C to +125C
Storage Temperature — -65C to +150C
Configuration Modes — JTAG, Active Serial (AS), Passive Serial (PS), Fast Passive Parallel (FPP)
External Memory Support — DDR/DDR2 SDRAM, QDRII SRAM
I/O Standards — LVDS, SSTL, HSTL, PCI, LVTTL, LVCMOS

Fiches techniques et ressources

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