EP4CE55F29C9LN vs EP4CE55F29I8N Comparación

Comparación detallada lado a lado de EP4CE55F29C9LN por Intel y EP4CE55F29I8N por Altera. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro EP4CE55F29C9LN EP4CE55F29I8N
Marca Intel Altera
Categoría FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $23,85 $195,00
Family Cyclone IV E —
Logic Elements (LE) 55,856 —
Embedded Memory 2,396,160 bits —
Embedded 18x18 Multipliers 374 374
Logic Array Blocks (LAB) 3,491 —
M9K Memory Blocks 260 —
PLLs 4 —
Maximum User I/O Pins 374 [DATA_NEEDED: maximum user I/O count for F29 package]
Technology Node 60 nm —
Core Voltage (VCCINT) 1.2 V —
Temperatura de unión de funcionamiento 0 °C to 85 °C (commercial) —
Encapsulado 780-ball FBGA (F29) 780-ball FBGA (F29, 29x29 mm)
Tipo de montaje Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free terminal finish, suffix 'N') —
Speed Grade C9 —
Series — Cyclone IV E
Logic Elements (LEs) — 55,856
Embedded Memory (bits) — 2,396,160
General-Purpose PLLs — 4
Process Technology — 60 nm low-power CMOS
Temperatura de funcionamiento — -40C to +100C (Industrial grade, suffix I)
Supply Voltage Core — 1.0 V (typical, VCCINT)
I/O Bank Supply Voltages — 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.0 V / 3.3 V
Configuration Modes — Active Serial (AS), Passive Serial (PS), JTAG, Fast Passive Parallel (FPP)
External Memory Interfaces — DDR, DDR2, SDR, QDRII, QDRII+ SRAM
Differential I/O Standards — LVDS, RSDS, mini-LVDS, LVPECL (receive)
Estado RoHS — Compliant

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