EP4CE55F29C9LN vs EP4CE55F29I8N Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EP4CE55F29C9LN par Intel et EP4CE55F29I8N par Altera. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EP4CE55F29C9LN EP4CE55F29I8N
Marque Intel Altera
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $23,85 $195,00
Family Cyclone IV E —
Logic Elements (LE) 55,856 —
Embedded Memory 2,396,160 bits —
Embedded 18x18 Multipliers 374 374
Logic Array Blocks (LAB) 3,491 —
M9K Memory Blocks 260 —
PLLs 4 —
Maximum User I/O Pins 374 [DATA_NEEDED: maximum user I/O count for F29 package]
Technology Node 60 nm —
Core Voltage (VCCINT) 1.2 V —
Température de jonction en fonctionnement 0 °C to 85 °C (commercial) —
Boîtier 780-ball FBGA (F29) 780-ball FBGA (F29, 29x29 mm)
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free terminal finish, suffix 'N') —
Speed Grade C9 —
Series — Cyclone IV E
Logic Elements (LEs) — 55,856
Embedded Memory (bits) — 2,396,160
General-Purpose PLLs — 4
Process Technology — 60 nm low-power CMOS
Température de fonctionnement — -40C to +100C (Industrial grade, suffix I)
Supply Voltage Core — 1.0 V (typical, VCCINT)
I/O Bank Supply Voltages — 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.0 V / 3.3 V
Configuration Modes — Active Serial (AS), Passive Serial (PS), JTAG, Fast Passive Parallel (FPP)
External Memory Interfaces — DDR, DDR2, SDR, QDRII, QDRII+ SRAM
Differential I/O Standards — LVDS, RSDS, mini-LVDS, LVPECL (receive)
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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