EP4CE75F29I7 vs EP4CE75F29I7N Comparación
Comparación detallada lado a lado de EP4CE75F29I7 por Intel y EP4CE75F29I7N por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | EP4CE75F29I7 | EP4CE75F29I7N |
|---|---|---|
| Marca | Intel | Intel |
| Categoría | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $121,30 | $540,00 |
| Series | Cyclone IV E | — |
| Manufacturer | Intel (formerly Altera) | — |
| Logic Elements (LEs) | 75,408 | — |
| Embedded Memory (bits) | 2,810,880 | 2,810,880 |
| Embedded Memory Blocks | 274 (M9K) | — |
| Embedded 18×18 Multipliers | 200 | — |
| PLLs | 4 | 4 |
| User I/O Count | 426 | — |
| Encapsulado | 780-ball FBGA (FineLine BGA) | 780-ball FBGA (F29) |
| Temperatura de funcionamiento | -40 °C to +100 °C (Industrial) | -40C to +100C (Industrial) |
| Process Node | 60 nm low-power CMOS | — |
| Core Voltage (VCCINT) | 1.0 V / 1.2 V selectable | — |
| Configuration Modes | JTAG, Active Serial (AS), Passive Serial (PS) | — |
| I/O Standards Supported | LVDS, LVTTL, LVCMOS, SSTL, HSTL | — |
| External Memory Interfaces | DDR/DDR2 SDRAM, QDRII SRAM | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Nivel MSL | 3 (168 hours) | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Family | — | Cyclone IV E |
| Logic Elements (LE) | — | 75,408 |
| Logic Array Blocks (LAB) | — | 4,633 |
| Embedded 18x18 Multipliers | — | 426 |
| Global Clocks | — | 20 |
| Maximum User I/O Pins | — | 426 |
| I/O Banks | — | 8 |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Process Technology | — | 60 nm low-k |