EP4CGX110DF27I7N vs EP4CGX110DF31C8N Comparación

Comparación detallada lado a lado de EP4CGX110DF27I7N por Intel y EP4CGX110DF31C8N por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro EP4CGX110DF27I7N EP4CGX110DF31C8N
Marca Intel Intel
Categoría FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $198,00 $325,00
Series Cyclone IV GX —
Device Family EP4CGX110 —
Logic Elements (LEs) 109,424 —
Logic Array Blocks (LABs) 6,422 6,839
Embedded Memory (bits) 5,621,760 —
Memory Blocks (M9K) 610 —
Embedded 18x18 Multipliers 280 —
User I/Os 393 —
Transceivers 8 channels, up to 3.125 Gbps 8 high-speed transceivers up to 3.125 Gbps
PCIe Hard IP Blocks 4 (Gen1 x1/x2/x4) —
PLLs 4 4 general-purpose PLLs
Core Voltage 1.2 V —
Temperatura de funcionamiento -40C to +100C (Industrial) —
Encapsulado 672-ball FBGA, 1.0 mm pitch 896-ball FineLine BGA (F31), 31 mm
Tipo de montaje Surface Mount —
Estado RoHS Compliant Compliant
Process Node 60 nm —
Configuration Scheme AS, PS, JTAG, FPP —
Family — Cyclone IV GX
Logic Elements — 109,424
Embedded Memory Bits — 5,621,760 (approximately 702 Kbits)
Embedded Memory Blocks — M9K blocks, 9-bit parity
DSP Blocks (18x18 Multipliers) — 264 multipliers
Maximum User I/Os — 475
I/O Banks — 8
PCI Express Hard IP — PCIe Gen1/Gen2 x1/x2/x4
Core Supply Voltage — 1.2 V
Process Technology — 60 nm low-power CMOS
Operating Temperature (Commercial) — 0C to 85C
Speed Grade — 8
Configuration — SRAM-based, supports AS, PS, JTAG, FPP

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