EPF10K100EFC484-1 vs EPF10K100EFC484-3N Comparación

Comparación detallada lado a lado de EPF10K100EFC484-1 por Intel y EPF10K100EFC484-3N por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro EPF10K100EFC484-1 EPF10K100EFC484-3N
Marca Intel Intel
Categoría FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Estado del ciclo de vida Activo Obsolete
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $142,00 $142,00
Family FLEX 10KE FLEX 10KE
Logic Elements / Cells 4,992 4992
Number of LABs/CLBs 624 —
Total RAM Bits 49,152 —
Embedded Memory (Kbits) 48 (12 EABs) —
Number of Block RAM (EABs) 12 —
User I/Os 338 338
Total Gates 257,000 typical system gates 100,000
Operating Supply Voltage (Core) 2.5 V —
Operating Supply Voltage Range 2.375 V to 2.625 V —
Process Technology 0.42 µm CMOS 0.22 µm CMOS
Propagation Delay 0.6 ns —
Temperatura de funcionamiento 0 °C to 70 °C (commercial) —
Encapsulado 484-FBGA (FineLine BGA, 23×23 mm) 484-ball FineLine BGA (FC484 / FBGA-484)
Tipo de montaje Surface Mount (SMT) Surface Mount (BGA)
Program Memory Type SRAM (volatile) —
Configuration Interface JTAG (IEEE 1149.1), serial/parallel EPROM —
PCI Support 3.3 V PCI compliant —
Estado RoHS Non-compliant (per Arrow listing) —
Estado del ciclo de vida Obsolete (EOL) —
Embedded Memory (EAB) — 49,152 bits (12 EABs)
Logic Array Blocks (LABs) — 624
Core Voltage (VCCINT) — 2.5 V
I/O Voltage (VCCIO) — MultiVolt (2.5 V / 3.3 V / 5.0 V tolerant per bank)
Internal Performance — 200 MHz
Speed Grade — -3 (fastest commercial bin)
Temperature Grade — Commercial (0 °C to +70 °C)
Configuration Method — SRAM (external EPROM/Flash/JTAG required at power-up)
Lead-Free / RoHS — Yes (N suffix = lead-free)

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