EPF10K100EFC484-1 vs EPF10K100EFC484-3N Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EPF10K100EFC484-1 par Intel et EPF10K100EFC484-3N par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EPF10K100EFC484-1 EPF10K100EFC484-3N
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Actif Obsolete
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $142,00 $142,00
Family FLEX 10KE FLEX 10KE
Logic Elements / Cells 4,992 4992
Number of LABs/CLBs 624 —
Total RAM Bits 49,152 —
Embedded Memory (Kbits) 48 (12 EABs) —
Number of Block RAM (EABs) 12 —
User I/Os 338 338
Total Gates 257,000 typical system gates 100,000
Operating Supply Voltage (Core) 2.5 V —
Operating Supply Voltage Range 2.375 V to 2.625 V —
Process Technology 0.42 µm CMOS 0.22 µm CMOS
Propagation Delay 0.6 ns —
Température de fonctionnement 0 °C to 70 °C (commercial) —
Boîtier 484-FBGA (FineLine BGA, 23×23 mm) 484-ball FineLine BGA (FC484 / FBGA-484)
Type de montage Surface Mount (SMT) Surface Mount (BGA)
Program Memory Type SRAM (volatile) —
Configuration Interface JTAG (IEEE 1149.1), serial/parallel EPROM —
PCI Support 3.3 V PCI compliant —
Statut RoHS Non-compliant (per Arrow listing) —
Statut du cycle de vie Obsolete (EOL) —
Embedded Memory (EAB) — 49,152 bits (12 EABs)
Logic Array Blocks (LABs) — 624
Core Voltage (VCCINT) — 2.5 V
I/O Voltage (VCCIO) — MultiVolt (2.5 V / 3.3 V / 5.0 V tolerant per bank)
Internal Performance — 200 MHz
Speed Grade — -3 (fastest commercial bin)
Temperature Grade — Commercial (0 °C to +70 °C)
Configuration Method — SRAM (external EPROM/Flash/JTAG required at power-up)
Lead-Free / RoHS — Yes (N suffix = lead-free)

Fiches techniques et ressources

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