EPF6010ATC100-3 vs EPF6010ATC100-3N Comparación

Comparación detallada lado a lado de EPF6010ATC100-3 por Intel y EPF6010ATC100-3N por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Intel
EPF6010ATC100-3N EPF6010ATC100-3N - FLEX 6000 FPGA, 880 Cells, 100-TQFP | Intel

EPF6010ATC100-3N - FLEX 6000 FPGA, 880 Cells, 100-TQFP | Intel

EPF6010ATC100-3N ⚠ Última compra

Comparación de especificaciones

Parámetro EPF6010ATC100-3 EPF6010ATC100-3N
Marca Intel Intel
Categoría FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Estado del ciclo de vida NRND Última compra
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $18,90 $9,95
Family FLEX 6000 FLEX 6000
Logic Elements / Cells 880 880
Usable Gates 10,000 —
Logic Array Blocks (LABs) 88 88
User I/O Pins 71 —
Process Technology 0.42 µm CMOS SRAM 0.42 µm CMOS
Supply Voltage (VCCINT) 3.3 V —
I/O Voltage Tolerance 3.3 V / 5 V tolerant —
Speed Grade -3 (commercial, slowest grade) -3
Encapsulado TQFP-100 (100-pin) 100-pin TQFP (14 x 14 x 1.4 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Configuration Memory SRAM (external configuration device required) —
JTAG Support Yes (IEEE 1149.1) —
Temperatura de funcionamiento 0C to +70C (commercial) 0 °C to +70 °C (commercial)
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 3 (168 hours)
Equivalent Gate Count — 10,000 gates
User I/Os — 71
Supply Voltage (Operating) — 3.0 V to 3.6 V
Maximum Internal Frequency — 142.86 MHz
Programming Method — In-system SRAM via ByteBlaster/BitBlaster

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