EPF6010ATC100-3 vs EPF6010ATC100-3N Сравнение

Подробное сравнение бок о бок EPF6010ATC100-3 от Intel и EPF6010ATC100-3N от Intel. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Intel
EPF6010ATC100-3N EPF6010ATC100-3N - FLEX 6000 FPGA, 880 Cells, 100-TQFP | Intel

EPF6010ATC100-3N - FLEX 6000 FPGA, 880 Cells, 100-TQFP | Intel

EPF6010ATC100-3N ⚠ Последняя закупка

Сравнение характеристик

Параметр EPF6010ATC100-3 EPF6010ATC100-3N
Бренд Intel Intel
Категория FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Статус жизненного цикла NRND Последняя закупка
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $18,90 $9,95
Family FLEX 6000 FLEX 6000
Logic Elements / Cells 880 880
Usable Gates 10,000 —
Logic Array Blocks (LABs) 88 88
User I/O Pins 71 —
Process Technology 0.42 µm CMOS SRAM 0.42 µm CMOS
Supply Voltage (VCCINT) 3.3 V —
I/O Voltage Tolerance 3.3 V / 5 V tolerant —
Speed Grade -3 (commercial, slowest grade) -3
Корпус TQFP-100 (100-pin) 100-pin TQFP (14 x 14 x 1.4 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Configuration Memory SRAM (external configuration device required) —
JTAG Support Yes (IEEE 1149.1) —
Рабочая температура 0C to +70C (commercial) 0 °C to +70 °C (commercial)
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 3 (168 hours)
Equivalent Gate Count — 10,000 gates
User I/Os — 71
Supply Voltage (Operating) — 3.0 V to 3.6 V
Maximum Internal Frequency — 142.86 MHz
Programming Method — In-system SRAM via ByteBlaster/BitBlaster

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену