EPF6010ATC100-3N vs EPF6010ATC100-3 Comparación
Comparación detallada lado a lado de EPF6010ATC100-3N por Intel y EPF6010ATC100-3 por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
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EPF6010ATC100-3N - FLEX 6000 FPGA, 880 Cells, 100-TQFP | Intel
EPF6010ATC100-3N ⚠ Última compraComparación de especificaciones
| Parámetro | EPF6010ATC100-3N | EPF6010ATC100-3 |
|---|---|---|
| Marca | Intel | Intel |
| Categoría | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Estado del ciclo de vida | Última compra | NRND |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $9,95 | $18,90 |
| Family | FLEX 6000 | FLEX 6000 |
| Logic Elements / Cells | 880 | 880 |
| Equivalent Gate Count | 10,000 gates | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | 88 | 88 |
| User I/Os | 71 | — |
| Supply Voltage (Operating) | 3.0 V to 3.6 V | — |
| Maximum Internal Frequency | 142.86 MHz | — |
| Process Technology | 0.42 µm CMOS | 0.42 µm CMOS SRAM |
| Speed Grade | -3 | -3 (commercial, slowest grade) |
| Encapsulado | 100-pin TQFP (14 x 14 x 1.4 mm) | TQFP-100 (100-pin) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | 0 °C to +70 °C (commercial) | 0C to +70C (commercial) |
| Programming Method | In-system SRAM via ByteBlaster/BitBlaster | — |
| Nivel MSL | 3 (168 hours) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Estado RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Usable Gates | — | 10,000 |
| User I/O Pins | — | 71 |
| Supply Voltage (VCCINT) | — | 3.3 V |
| I/O Voltage Tolerance | — | 3.3 V / 5 V tolerant |
| Configuration Memory | — | SRAM (external configuration device required) |
| JTAG Support | — | Yes (IEEE 1149.1) |