EPF6010ATC100-3N vs EPF6010ATC100-3 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de EPF6010ATC100-3N par Intel et EPF6010ATC100-3 par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
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EPF6010ATC100-3N - FLEX 6000 FPGA, 880 Cells, 100-TQFP | Intel
EPF6010ATC100-3N ⚠ Dernier achatComparaison des spécifications
| Paramètre | EPF6010ATC100-3N | EPF6010ATC100-3 |
|---|---|---|
| Marque | Intel | Intel |
| Catégorie | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Statut du cycle de vie | Dernier achat | NRND |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $9,95 | $18,90 |
| Family | FLEX 6000 | FLEX 6000 |
| Logic Elements / Cells | 880 | 880 |
| Equivalent Gate Count | 10,000 gates | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | 88 | 88 |
| User I/Os | 71 | — |
| Supply Voltage (Operating) | 3.0 V to 3.6 V | — |
| Maximum Internal Frequency | 142.86 MHz | — |
| Process Technology | 0.42 µm CMOS | 0.42 µm CMOS SRAM |
| Speed Grade | -3 | -3 (commercial, slowest grade) |
| Boîtier | 100-pin TQFP (14 x 14 x 1.4 mm) | TQFP-100 (100-pin) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0 °C to +70 °C (commercial) | 0C to +70C (commercial) |
| Programming Method | In-system SRAM via ByteBlaster/BitBlaster | — |
| Niveau MSL | 3 (168 hours) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Usable Gates | — | 10,000 |
| User I/O Pins | — | 71 |
| Supply Voltage (VCCINT) | — | 3.3 V |
| I/O Voltage Tolerance | — | 3.3 V / 5 V tolerant |
| Configuration Memory | — | SRAM (external configuration device required) |
| JTAG Support | — | Yes (IEEE 1149.1) |