H5AN8G6NAFR-UHC vs MT40A512M16JY-075E Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G6NAFR-UHC por SK hynix y MT40A512M16JY-075E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G6NAFR-UHC | MT40A512M16JY-075E |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $5,74 | $30,50 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Velocidad de datos | 2400 MT/s | 2666 MT/s |
| Encapsulado | FBGA-96 | 96-FBGA (8x14) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +85°C | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.14V to 1.26V |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Interfaz | — | Parallel |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Características | — | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |