H5AN8G6NCJR-PBC vs H5AN8G6NCJR-VKC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5AN8G6NCJR-PBC por SK hynix y H5AN8G6NCJR-VKC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5AN8G6NCJR-PBC H5AN8G6NCJR-VKC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,30 $60,00
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Organization 8Gb x16 (512M x 16) —
Tamaño de memoria 8 Gbit —
Velocidad de datos [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix] 2666 Mbps
Family Data Rate Range Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V (1.14V to 1.26V)
Encapsulado FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA) FBGA-96
Tipo de montaje Surface Mount —
Temperatura de funcionamiento 0C to +95C 0°C to +95°C
Interfaz Parallel, synchronous to both clock edges —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Function Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Dynamic On-Die Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant) —
Estado RoHS Compliant —
Density — 8 Gb
Organización de memoria — 512M x 16
Operating Current (IDD2N) — 28 mA
Operating Current (IDD4R) — 45 mA
Burst Length — 8 (BC4)
Latencia CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Row Address Bits — [DATA_NEEDED: Row Address Bits]
Column Address Bits — [DATA_NEEDED: Column Address Bits]
Lead-Free — Yes
Sin halógenos — Yes
RoHS — Compliant

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