H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G6NDJR-UHC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5AN8G6NCJR-VKC por SK hynix y H5AN8G6NDJR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC ✓ Activo
SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NDJR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $60,00 $34,60
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Organización de memoria 512M x 16 512M x 16
Velocidad de datos 2666 Mbps —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (1.14V to 1.26V) 1.2 V
Temperatura de funcionamiento 0°C to +95°C —
Encapsulado FBGA-96 FBGA-96 (13x7.5 mm)
Operating Current (IDD2N) 28 mA —
Operating Current (IDD4R) 45 mA —
Burst Length 8 (BC4) —
Latencia CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Row Address Bits [DATA_NEEDED: Row Address Bits] —
Column Address Bits [DATA_NEEDED: Column Address Bits] —
Lead-Free Yes Yes
Sin halógenos Yes Yes
RoHS Compliant Compliant
Speed Grade — 3200 Mbps (PC4-25600)
Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
JESD-30 Code — R-PBGA-B96
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Minimum Operating Temperature — 0 °C
Additional Features — Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling

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