H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G6NDJR-UHC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NCJR-VKC par SK hynix et H5AN8G6NDJR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC ✓ Actif
SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NDJR-UHC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $60,00 $34,60
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Organisation de la mémoire 512M x 16 512M x 16
Débit de données 2666 Mbps —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (1.14V to 1.26V) 1.2 V
Température de fonctionnement 0°C to +95°C —
Boîtier FBGA-96 FBGA-96 (13x7.5 mm)
Operating Current (IDD2N) 28 mA —
Operating Current (IDD4R) 45 mA —
Burst Length 8 (BC4) —
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Row Address Bits [DATA_NEEDED: Row Address Bits] —
Column Address Bits [DATA_NEEDED: Column Address Bits] —
Lead-Free Yes Yes
Sans halogène Yes Yes
RoHS Compliant Compliant
Speed Grade — 3200 Mbps (PC4-25600)
Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
JESD-30 Code — R-PBGA-B96
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Minimum Operating Temperature — 0 °C
Additional Features — Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling

Fiches techniques et ressources

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