H5AN8G8NCJR-PBC vs H5AN8G8NCJR-RDC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G8NCJR-PBC por SK hynix y H5AN8G8NCJR-RDC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G8NCJR-PBC | H5AN8G8NCJR-RDC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,40 | $2,70 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gb (1 GB) | — |
| Organización de memoria | 1G x 8 (x8) | x8 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Interface Voltage (VDDQ) | 1.2 V (SSTL12) | — |
| Velocidad de datos | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] | up to 2666 Mbps |
| Encapsulado | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Architecture | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked | — |
| Bank Structure | 8 internal banks, bank-group architecture | — |
| Burst Length | BL8 | BL8 |
| Características | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh | — |
| Die Revision Family | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) | — |
| Estado RoHS | Lead-Free & Halogen-Free | Compliant |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Typical Applications | PC/server main memory, embedded solder-down memory | — |
| Density | — | 8 Gb (1 GB) |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V (VDD) |
| Interfaz | — | DDR4 (JEDEC standard) |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] |
| Generation | — | C-die family (NCJR) |
| Lead Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |