H5AN8G8NCJR-PBC vs H5AN8G8NCJR-RDC 比較

詳細な並列比較: H5AN8G8NCJR-PBC メーカー: SK hynix および H5AN8G8NCJR-RDC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G8NCJR-PBC H5AN8G8NCJR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM, 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM, 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-PBC ✓ 生産中
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H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G8NCJR-PBC H5AN8G8NCJR-RDC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.40 $2.70
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gb (1 GB) —
メモリ構成 1G x 8 (x8) x8
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Interface Voltage (VDDQ) 1.2 V (SSTL12) —
データレート [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] up to 2666 Mbps
パッケージ 78-ball FBGA 78-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Architecture CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked —
Bank Structure 8 internal banks, bank-group architecture —
Burst Length BL8 BL8
特長 ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh —
Die Revision Family CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) —
RoHS ステータス Lead-Free & Halogen-Free Compliant
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix]
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Typical Applications PC/server main memory, embedded solder-down memory —
Density — 8 Gb (1 GB)
電源電圧 — 1.2 V (VDD)
インターフェース — DDR4 (JEDEC standard)
Bank Architecture — 4 bank groups x 4 banks
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade]
Generation — C-die family (NCJR)
Lead Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes

データシート&リソース

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