H5ANAG6NBJR-PBC vs H5ANAG6NBJR-RDC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NBJR-PBC por SK hynix y H5ANAG6NBJR-RDC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5ANAG6NBJR-PBC | H5ANAG6NBJR-RDC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,45 | $9,60 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb (2 GB) | 16 Gb |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Generation Max Data Rate | 3200 MT/s (family max) | — |
| Encapsulado | FBGA-96 | FBGA (Ball Grid Array), surface mount |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Self Refresh | Auto self-refresh | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Speed Bin (PBC) | [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] | — |
| Organización de memoria | [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Memory Organization | — | 16Gb x16 |
| Velocidad de datos | — | 2666 Mbps (speed grade -RDC) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Interfaz | — | Synchronous, double data rate |
| Clocking | — | Fully synchronous to both clock edges |
| Technology | — | CMOS |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |
| Application | — | Main memory |
| On-Die Termination (ODT) | — | Supported (DDR4 feature) |
| Bank Group Architecture | — | DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4) |