H5ANAG6NBJR-PBC vs H5ANAG6NBJR-RDC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NBJR-PBC par SK hynix et H5ANAG6NBJR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG6NBJR-PBC | H5ANAG6NBJR-RDC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,45 | $9,60 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb (2 GB) | 16 Gb |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Generation Max Data Rate | 3200 MT/s (family max) | — |
| Boîtier | FBGA-96 | FBGA (Ball Grid Array), surface mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Self Refresh | Auto self-refresh | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Speed Bin (PBC) | [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] | — |
| Organisation de la mémoire | [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Memory Organization | — | 16Gb x16 |
| Débit de données | — | 2666 Mbps (speed grade -RDC) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Interface | — | Synchronous, double data rate |
| Clocking | — | Fully synchronous to both clock edges |
| Technology | — | CMOS |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |
| Application | — | Main memory |
| On-Die Termination (ODT) | — | Supported (DDR4 feature) |
| Bank Group Architecture | — | DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4) |