H5ANAG6NBJR-RDC vs H5ANAG6NCJR-XNC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NBJR-RDC por SK hynix y H5ANAG6NCJR-XNC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5ANAG6NBJR-RDC | H5ANAG6NCJR-XNC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | DRAM | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $9,60 | $84,97 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Organization | 16Gb x16 | 1G x 16 |
| Density | 16 Gb | — |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps (speed grade -RDC) | 3200 Mbps/pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Interfaz | Synchronous, double data rate | Parallel |
| Clocking | Fully synchronous to both clock edges | — |
| Encapsulado | FBGA (Ball Grid Array), surface mount | FBGA-96 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS | — |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Application | Main memory | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| On-Die Termination (ODT) | Supported (DDR4 feature) | — |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4) | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| Tamaño de memoria | — | 16 Gbit |
| Supply Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Packaging | — | Tray |