H5ANAG6NBJR-RDC vs H5ANAG6NCJR-XNC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NBJR-RDC par SK hynix et H5ANAG6NCJR-XNC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG6NBJR-RDC | H5ANAG6NCJR-XNC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $9,60 | $84,97 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Organization | 16Gb x16 | 1G x 16 |
| Density | 16 Gb | — |
| Débit de données | 2666 Mbps (speed grade -RDC) | 3200 Mbps/pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Interface | Synchronous, double data rate | Parallel |
| Clocking | Fully synchronous to both clock edges | — |
| Boîtier | FBGA (Ball Grid Array), surface mount | FBGA-96 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS | — |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Application | Main memory | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| On-Die Termination (ODT) | Supported (DDR4 feature) | — |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| Taille de mémoire | — | 16 Gbit |
| Supply Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Packaging | — | Tray |