H5ANAG6NBJR-RDC vs H5ANAG8NBJR-VKC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NBJR-RDC por SK hynix y H5ANAG8NBJR-VKC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-RDC H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG6NBJR-RDC H5ANAG8NBJR-VKC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría DRAM Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $9,60 $8,60
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Organization 16Gb x16 —
Density 16 Gb 16 Gbit
Velocidad de datos 2666 Mbps (speed grade -RDC) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Interfaz Synchronous, double data rate —
Clocking Fully synchronous to both clock edges —
Encapsulado FBGA (Ball Grid Array), surface mount FBGA-78
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS —
Standard JEDEC DDR4 SDRAM —
Application Main memory —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] 0C to +85C
On-Die Termination (ODT) Supported (DDR4 feature) —
Bank Group Architecture DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4) —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant, Lead-Free and Halogen-Free
Organización de memoria — 2G x 8
Speed Grade — DDR4-2666 (2666 Mbps/pin)
Tensión de alimentación — 1.14 V to 1.26 V (VDDQ)
Clock Frequency — 1.6 GHz (internal interface per distributor data)
Standby Current — 30 mA (operating, per distributor listing)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval]

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