H5ANAG6NBJR-RDC vs H5ANAG8NBJR-VKC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NBJR-RDC par SK hynix et H5ANAG8NBJR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-RDC H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NBJR-RDC H5ANAG8NBJR-VKC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie DRAM Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $9,60 $8,60
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Organization 16Gb x16 —
Density 16 Gb 16 Gbit
Débit de données 2666 Mbps (speed grade -RDC) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Interface Synchronous, double data rate —
Clocking Fully synchronous to both clock edges —
Boîtier FBGA (Ball Grid Array), surface mount FBGA-78
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS —
Standard JEDEC DDR4 SDRAM —
Application Main memory —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] 0C to +85C
On-Die Termination (ODT) Supported (DDR4 feature) —
Bank Group Architecture DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant, Lead-Free and Halogen-Free
Organisation de la mémoire — 2G x 8
Speed Grade — DDR4-2666 (2666 Mbps/pin)
Tension d'alimentation — 1.14 V to 1.26 V (VDDQ)
Clock Frequency — 1.6 GHz (internal interface per distributor data)
Standby Current — 30 mA (operating, per distributor listing)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval]

Fiches techniques et ressources

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