H5ANAG6NCMR-XNI vs H5ANAG6NCJR-XNC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NCMR-XNI por SK hynix y H5ANAG6NCJR-XNC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5ANAG6NCMR-XNI | H5ANAG6NCJR-XNC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $4,95 | $84,97 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 16 Gb | 16 Gbit |
| Memory Organization | 1G x 16 | 1G x 16 |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps (DDR4-3200, XN speed bin) | 3200 Mbps/pin |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Technology | CMOS Double Data Rate IV Synchronous DRAM | — |
| Power Class | Normal Power | — |
| Encapsulado | FBGA-96 | FBGA-96 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Interfaz | Parallel (DDR4) | Parallel |
| Product Status | Active | — |
| Application Domain | Main memory, industrial controllers, computing modules, consumer electronics | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Speed Bin Family | UH/VK/WM/XN | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | — |
| VPP Supply Voltage | [DATA_NEEDED: VPP Supply Voltage] | — |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Supply Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Packaging | — | Tray |
| Estado RoHS | — | Compliant |