H5ANAG6NCMR-XNI vs H5ANAG6NCJR-XNC 比較

詳細な並列比較: H5ANAG6NCMR-XNI メーカー: SK hynix および H5ANAG6NCJR-XNC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5ANAG6NCMR-XNI H5ANAG6NCMR-XNI - DDR4 16Gb 3200Mbps DRAM | SK Hynix

H5ANAG6NCMR-XNI - DDR4 16Gb 3200Mbps DRAM | SK Hynix

H5ANAG6NCMR-XNI ✓ 生産中
SK hynix
H5ANAG6NCJR-XNC H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5ANAG6NCMR-XNI H5ANAG6NCJR-XNC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $4.95 $84.97
メモリタイプ DDR4 SDRAM (volatile DRAM) DDR4 SDRAM
メモリサイズ 16 Gb 16 Gbit
Memory Organization 1G x 16 1G x 16
データレート 3200 Mbps (DDR4-3200, XN speed bin) 3200 Mbps/pin
電源電圧 1.2 V —
Technology CMOS Double Data Rate IV Synchronous DRAM —
Power Class Normal Power —
パッケージ FBGA-96 FBGA-96
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
インターフェース Parallel (DDR4) Parallel
Product Status Active —
Application Domain Main memory, industrial controllers, computing modules, consumer electronics —
Memory Format DRAM —
Speed Bin Family UH/VK/WM/XN —
動作温度 [DATA_NEEDED: Operating Temperature] —
VPP Supply Voltage [DATA_NEEDED: VPP Supply Voltage] —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Supply Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ)
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Packaging — Tray
RoHS ステータス — Compliant

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼