H5ANAG6NCR-PBC vs H5ANAG6NCR-VKC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NCR-PBC por SK hynix y H5ANAG6NCR-VKC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG6NCR-PBC H5ANAG6NCR-VKC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $70,20 $0,00
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16Gb (2GB) —
Organización de memoria x16 (1G x 16) 2G x 8
Tensión de alimentación 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) —
Transfer Rate 3200 Mbps (family, per XNCR datasheet; PBC speed grade [DATA_NEEDED: exact speed grade Mbps]) —
Encapsulado FBGA-96 96-ball FBGA
Number of Terminals 96 balls —
Temperatura de funcionamiento 0C to 85C [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation]
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
Write Leveling Yes —
Estado RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement]
Maximum Standby Current [DATA_NEEDED: maximum standby current for PBC speed grade] —
Latencia CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] —
Memory Density — 16 Gbit
Interfaz — DDR4 (Double Data Rate 4)
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
Velocidad de datos — [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps]
Banks — 16 banks (4 bank groups x 4)
Burst Length — BL8
Refresh Mode — 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4
Technology — CMOS
Application — Main memory (PC / server / embedded)

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