H5ANAG6NCR-PBC vs H5ANAG6NCR-VKC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCR-PBC par SK hynix et H5ANAG6NCR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NCR-PBC H5ANAG6NCR-VKC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $70,20 $0,00
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16Gb (2GB) —
Organisation de la mémoire x16 (1G x 16) 2G x 8
Tension d'alimentation 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) —
Transfer Rate 3200 Mbps (family, per XNCR datasheet; PBC speed grade [DATA_NEEDED: exact speed grade Mbps]) —
Boîtier FBGA-96 96-ball FBGA
Number of Terminals 96 balls —
Température de fonctionnement 0C to 85C [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation]
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
Write Leveling Yes —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement]
Maximum Standby Current [DATA_NEEDED: maximum standby current for PBC speed grade] —
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] —
Memory Density — 16 Gbit
Interface — DDR4 (Double Data Rate 4)
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
Débit de données — [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps]
Banks — 16 banks (4 bank groups x 4)
Burst Length — BL8
Refresh Mode — 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4
Technology — CMOS
Application — Main memory (PC / server / embedded)

Fiches techniques et ressources

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