H5ANAG6NCR-RDC vs H5ANAG6NCMR-XNC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NCR-RDC por SK hynix y H5ANAG6NCMR-XNC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5ANAG6NCR-RDC | H5ANAG6NCMR-XNC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $72,10 | $31,40 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (Volatile DRAM) |
| Tamaño de memoria | 16 Gb (2 GB) | 16 Gb |
| Organización de memoria | 1G x 16 | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps (PC4-25600 class) | 3200 Mbps/pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Package Body | Rectangular, 8 mm width | — |
| Maximum Standby Current | 0.074 A | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Terminals (Balls) | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask (DM) Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | RoHS Compliant |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh Interval | [DATA_NEEDED: Refresh Interval] | — |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Technology | — | CMOS |
| Power Class | — | Normal Power |
| Interfaz | — | Parallel |
| Speed Grade | — | XN (3200) |
| Product Status | — | Active |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200] |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |