H5ANAG6NCR-RDC vs H5ANAG6NCMR-XNC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCR-RDC par SK hynix et H5ANAG6NCMR-XNC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG6NCR-RDC | H5ANAG6NCMR-XNC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $72,10 | $31,40 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (Volatile DRAM) |
| Taille de mémoire | 16 Gb (2 GB) | 16 Gb |
| Organisation de la mémoire | 1G x 16 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps (PC4-25600 class) | 3200 Mbps/pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Boîtier | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Package Body | Rectangular, 8 mm width | — |
| Maximum Standby Current | 0.074 A | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Terminals (Balls) | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask (DM) Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | RoHS Compliant |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh Interval | [DATA_NEEDED: Refresh Interval] | — |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Technology | — | CMOS |
| Power Class | — | Normal Power |
| Interface | — | Parallel |
| Speed Grade | — | XN (3200) |
| Product Status | — | Active |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |