H5ANAG6NCR-RDC vs H5ANAG6NCR-VKC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NCR-RDC por SK hynix y H5ANAG6NCR-VKC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG6NCR-RDC H5ANAG6NCR-VKC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $72,10 $0,00
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 16 Gb (2 GB) —
Organización de memoria 1G x 16 2G x 8
Velocidad de datos 3200 Mbps (PC4-25600 class) [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps]
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Encapsulado 96-ball FBGA 96-ball FBGA
Package Body Rectangular, 8 mm width —
Maximum Standby Current 0.074 A —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals (Balls) 96 —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask (DM) Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
Write Leveling Yes —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement]
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation]
Refresh Interval [DATA_NEEDED: Refresh Interval] —
Memory Density — 16 Gbit
Interfaz — DDR4 (Double Data Rate 4)
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
Banks — 16 banks (4 bank groups x 4)
Burst Length — BL8
Refresh Mode — 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4
Technology — CMOS
Application — Main memory (PC / server / embedded)

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