H5ANAG6NCR-RDC vs H5ANAG6NCR-VKC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCR-RDC par SK hynix et H5ANAG6NCR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG6NCR-RDC | H5ANAG6NCR-VKC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $72,10 | $0,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 16 Gb (2 GB) | — |
| Organisation de la mémoire | 1G x 16 | 2G x 8 |
| Débit de données | 3200 Mbps (PC4-25600 class) | [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps] |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Package Body | Rectangular, 8 mm width | — |
| Maximum Standby Current | 0.074 A | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Terminals (Balls) | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask (DM) Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation] |
| Refresh Interval | [DATA_NEEDED: Refresh Interval] | — |
| Memory Density | — | 16 Gbit |
| Interface | — | DDR4 (Double Data Rate 4) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Banks | — | 16 banks (4 bank groups x 4) |
| Burst Length | — | BL8 |
| Refresh Mode | — | 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4 |
| Technology | — | CMOS |
| Application | — | Main memory (PC / server / embedded) |