H5ANAG6NCR-UHC vs H5ANAG6NCR-VKC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NCR-UHC por SK hynix y H5ANAG6NCR-VKC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG6NCR-UHC H5ANAG6NCR-VKC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Mobile LPDDR4 Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $9,20 $0,00
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gb (2 GB) 16 Gbit
Organización de memoria 1G x 16 2G x 8
Interfaz CMOS, Double Data Rate IV DDR4 (Double Data Rate 4)
Encapsulado FBGA-96 (PBGA-96) 96-ball FBGA
Die Revision C —
Speed Grade [DATA_NEEDED: Speed grade / data rate] —
Supply Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: VDD voltage] —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: Operating temperature range] [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation]
Configuration 1 Channel, 1 Rank —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh scheme] —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement]
Factory Packing Quantity [DATA_NEEDED: Standard packing quantity] —
Application Main memory, embedded computing, industrial controllers Main memory (PC / server / embedded)
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
Velocidad de datos — [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps]
Banks — 16 banks (4 bank groups x 4)
Burst Length — BL8
Refresh Mode — 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4
Technology — CMOS

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